Novo dispositivo PoX redefine os padrões da memória RAM
Investigadores chineses criam o PoX, uma memória RAM experimental baseada em grafeno que efetua 25 mil milhões de operações por segundo, dez mil vezes mais rápido que os modelos correntes.
Investigadores da Universidade de Fudan, em Xangai, China, desenvolveram um dispositivo inovador denominado PoX, que promete revolucionar o desempenho da memória RAM. Segundo os estudos, o dispositivo permite realizar 25 mil milhões de operações por segundo, sendo até dez mil vezes mais veloz do que as memórias habituais encontradas nos computadores portáteis.
Ao substituir o silício pelo grafeno, o PoX revela-se especialmente adequado para aplicações intensivas de Inteligência Artificial. Os resultados desta investigação foram publicados na prestigiada revista Nature, embora ainda não se conheçam detalhes conclusivos sobre a sua durabilidade a longo prazo nem sobre a viabilidade para produção em massa.
Por conseguinte, apesar do entusiasmo que esta tecnologia suscita, mais informações serão necessárias antes de podermos vislumbrar a sua chegada ao mercado.
